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第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展知乎知乎专栏

[摘要]第三代半导体材料碳化硅(SiC)因其禁带宽度大、热稳定性强、热导率高、抗辐射能力强等优点，以耐高温、高压、高频著称，在功率半导体领域有着广泛的应用前景而成针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势知乎技术碳化硅产业链条核心：外延技术碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，技术碳化硅产业链条核心：外延技术知乎知乎专栏

国内外碳化硅功率半导体产业链发展现状知乎

随着国际上碳化硅功率器件技术的进步和制造工艺从4英寸升级到6英寸，器件产业化水平不断提高，碳化硅功率器件的成本迅速下降。全球碳化硅功率器件市场的发展趋势。2017 24 Aug 2021 五、国内外碳化硅产业发展现状51碳化硅产业发展历程SiC虽然具备较多的性能优点，但是迫于SiC材料易碎，尤其是大尺寸SiC的生产一直是个难题，制备难度相对 SiC材料应用研究（三）五、国内外碳化硅产业发展现状51碳化硅碳化硅超结深槽外延关键制造工艺企业碳化硅外延片生产的国外核心企业，主要以美国的Cree、 DowCorning、IIVI、日本的罗姆、昭和电工、三菱电机、德国的Infineon 等为主 SIC外延漫谈知乎

碳化硅SIC材料研究现状与行业应用知乎知乎专栏

随着国际上碳化硅功率器件技术的进步和制造工艺从4英寸升级到6英寸，器件产业化水平不断提高，碳化硅功率器件的成本迅速下降。全球碳化硅功率器件市场的发展趋势。2017 1 Dec 2022 其中碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度、高电导率、高热导率，有望成为未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。 SiC 器件的制造是保证其优良应用的一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区虽然离子注入和退火的目的和传统器件制备没有什么区别，但是由于碳化硅材料的特性，退火的温度要高达1600摄氏度左右，在这么高的温度下，如何保证晶圆表面粗糙度，又要达碳化硅器件目前有什么生产难点？？知乎